功率器件及电源芯片设计验证
采用基于边界的3D求解器,精准优化功率晶体管阵列中的导通电阻(Rdson)和Gate Delay。
检查并优化电流密度“热点”,检查电迁移违规。
优化版图布局和pad放置,检测缺失的通孔和金属电流拥挤。
将协同设计扩展到芯片、封装和PCB环境,确保芯片电路更优电热性能。
集成易用的结果查看器,使剖面分析报告和场视图清晰易懂。
高精度参数提取和优化
2D视图、求解器视图和场视图
分析Pad、Via位置
分析电迁移、过热故障等隐患
基于仿真的瞬态电热分析
提升开关频率
功率器件
设计分析
(IGBT)
车规芯片
设计分析
电源芯片
设计分析(PMIC/
DC-DC转换器等)
数模混合
信号芯片
设计分析
协同优化
系统电热性能
(Chip/Package/PCB)
高压氮化镓
功率器件
设计分析