先进的光刻工艺建模和仿真工具
适用于先进工艺节点。
覆盖半导体芯片制造、平板显示制造、先进芯片封装等应用领域。
已在国内部分先进 Fab 中成功验证。
通过严格仿真的方法获取不同工艺参数下工艺窗口数值,有效减少晶圆曝光和人工量测的需求,大幅提升工艺开发效率。
支持与其他工艺仿真工具结合,应用于掩膜版关键图形的工艺仿真优化,降低实际生产中图形失效的风险。
支持掩模版三维效应、
FreeForm 光源
支持投影倍率、入射角度、
镜头畸变、琼斯矩阵
包含 Dill 模型,曝光后烘烤扩散和化学反应
模型,曝光后显影模型,光刻胶收缩效应
支持单次曝光工艺、二次曝光工艺(LLE)
和多焦深成像工艺(MFI)
内建多参数优化引擎,可以根据晶圆数据
和光学参数拟合光刻胶模型
支持仿真结果
和外部数据的可视化
内置C和Python开发接口,
CVS和JSON数据交互格式
支持输出 TXT、GDSII、STL
文件格式
光刻工艺的工艺窗口
仿真和参数优化
关键图形
仿真和优化
OPC模型参数
开发辅助
光刻胶参数
评估和优化
光刻设备参数
评估和优化